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MCP1665T-E/MRA (VQFN-10-EP(2x2)) — Symbol, Footprint IPC-7351B & 3D STEP Model

MCP1665T-E/MRA

MICROCHIPID: C623055VQFN-10-EP(2x2) · 10 引脚 · Pitch 0.50mmIPC-7351B Verified5.0 (0)
4D 同步交叉探测模式 (CROSS-PROBE)点击或悬停任意引脚，同时在原理图、PCB焊盘和3D模型上高亮展示
1. 原理图符号
U1 · MCP1665T-E/MRA (VQFN-10-EP(2x2))1P GND2P GND3S GND4V FB5MODE10P GND9SW8SW7EN6V INGrid Pitch = 2.54mm (IEEE-315)-17.8-12.7-7.6-2.52.57.612.717.812.77.62.5-2.5-7.6-12.7mm
2. 2D封装焊盘
12345678910E=2.00mm · Pitch e=0.50mmD=2.00mm-3-2-1012343210-1-2-3mm
3. 3D实体模型
封装外形: 2.00mm × 2.00mm · 间距 Pitch: 0.50mm · 标尺网格步距: 1.00mm实时同步 <100ms

引脚定义三维联动 (Symbol / 2D / 3D) (10/10)

点击或悬停任意引脚，同时在原理图、PCB焊盘和3D模型上高亮展示
引脚符号类型功能说明 (ZH)
1P GNDGND电源参考地引脚 (P GND)
2P GNDGND电源参考地引脚 (P GND)
3S GNDGND电源参考地引脚 (S GND)
4V FBI/O多功能复用 I/O 与外设引脚 V FB (General)
5MODEI/O多功能复用 I/O 与外设引脚 MODE (General)
6V INI/O多功能复用 I/O 与外设引脚 V IN (General)
7ENI系统复位 / 芯片使能引脚 (EN)
8SWI/O多功能复用 I/O 与外设引脚 SW (General)
9SWI/O多功能复用 I/O 与外设引脚 SW (General)
10P GNDGND电源参考地引脚 (P GND)
PIN 1 P GND
GND
电源参考地引脚 (P GND)
PCB布线建议: PowerGroundPin
IPC-7351B 焊接密度与跨距 C/G/Z 调整

规格书PDF在线浏览与工程图画廊 (6 标准工程图 + 25 提取细节图)

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PDF VIEWER原厂官方芯片数据手册: MCP1665T-E/MRA (MICROCHIP · VQFN-10-EP(2x2))
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1. 3D真实封装照片级模型REPRESENTATIVE
MCP1665T-E/MRA (VQFN-10-EP(2x2)) - 1. 3D真实封装照片级模型
高精度实体渲染放大 ›
2. 标准引脚分布图 (Top View)CLEANROOM PINOUT
MCP1665T-E/MRA (VQFN-10-EP(2x2)) - 2. 标准引脚分布图 (Top View)
准确封装引脚分布 (10 引脚)放大 ›
3. 原厂规格书引脚图PDF PINOUT
MCP1665T-E/MRA (VQFN-10-EP(2x2)) - 3. 原厂规格书引脚图
无损原始引脚图放大 ›
4. 封装机械外形图 (D×E×A)PACKAGE DIMENSIONS
MCP1665T-E/MRA (VQFN-10-EP(2x2)) - 4. 封装机械外形图 (D×E×A)
VQFN-10-EP(2x2) · 2.00×2.00mm · 节距 0.50mm放大 ›
5. 推荐PCB焊盘图LAND PATTERN
MCP1665T-E/MRA (VQFN-10-EP(2x2)) - 5. 推荐PCB焊盘图
IPC-7351B 焊盘 (10 Pads)放大 ›
6. 典型应用原理图SCHEMATIC
MCP1665T-E/MRA (VQFN-10-EP(2x2)) - 6. 典型应用原理图
Typical Application Schematic放大 ›
Datasheet 原始引脚图与技术图纸库 (25 张图纸 · 第 1/3 页)
显示第 1–12 张，共 25 张完整原图 (来自 MCP1665 系列)
P1 · p01_fig01376×200px
MCP1665T-E/MRA (VQFN-10-EP(2x2)) — High-Voltage 3.6A Integrated Switch PFM/PWM Boost Regulator
High-Voltage 3.6A Integrated Switch PFM/PWM Boost Regulator
P1 · p01_fig021777×689px
MCP1665T-E/MRA (VQFN-10-EP(2x2)) —  2017 Microchip Technology Inc. DS20005872A-page 1 | Applications | Package Types | *Includes Exposed Thermal Pad (EP); see Table 3-1 | SGND | PGND | FB | SW | EN | 1 | 2 | 3 4 | 9 | 8 | 7 6 VIN | SW PGND | EP | 0 | PGND | MODE | 10 | 5 |
 2017 Microchip Technology Inc. DS20005872A-page 1 | Applications | Package Types | *Includes Exposed Thermal Pad (EP); see Table 3-1 | SGND | PGND | FB | SW | EN | 1 | 2 | 3 4 | 9 | 8 | 7 6 VIN | SW PGND | EP | 0 | PGND | MODE | 10 | 5 |
P2 · p02_fig011158×686px
MCP1665T-E/MRA (VQFN-10-EP(2x2)) — D
D
P2 · p02_fig021782×1758px
MCP1665T-E/MRA (VQFN-10-EP(2x2)) — DS20005872A-page 2  2017 Microchip Technology Inc. | Best Efficiency vs. IOUT | GND | VFB | VOUT 24V, >350 mA | COUT 4x10 µF | CIN 2x10 µF | L 10 µH | SW | 383 k | 20 k EN | + | - | Li-Ion | RTOP | RBOT | VIN 3.3V-4.2V | D | VIN | MCP166
DS20005872A-page 2  2017 Microchip Technology Inc. | Best Efficiency vs. IOUT | GND | VFB | VOUT 24V, >350 mA | COUT 4x10 µF | CIN 2x10 µF | L 10 µH | SW | 383 k | 20 k EN | + | - | Li-Ion | RTOP | RBOT | VIN 3.3V-4.2V | D | VIN | MCP166
P2 · p02_fig01P2
MCP1665T-E/MRA (VQFN-10-EP(2x2)) — Datasheet Page 2 (p02_fig01)
Datasheet Page 2 (p02_fig01)
P8 · p08_fig011777×607px
MCP1665T-E/MRA (VQFN-10-EP(2x2)) — FIGURE 2-20: 12.0V Start-Up (VIN = VENABLE). VOUT 100 mV/div AC Coupled 20 MHz BW
FIGURE 2-20: 12.0V Start-Up (VIN = VENABLE). VOUT 100 mV/div AC Coupled 20 MHz BW
P8 · p08_fig02787×363px
MCP1665T-E/MRA (VQFN-10-EP(2x2)) — FIGURE 2-17: 12.0V VOUT Light Load PFM Mode Waveforms. VOUT 50 mV/div AC Coupled 20 MHz BW VSW 5V/div
FIGURE 2-17: 12.0V VOUT Light Load PFM Mode Waveforms. VOUT 50 mV/div AC Coupled 20 MHz BW VSW 5V/div
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MCP1665T-E/MRA (VQFN-10-EP(2x2)) — FIGURE 2-17: 12.0V VOUT Light Load PFM Mode Waveforms. VOUT 50 mV/div AC Coupled 20 MHz BW VSW 5V/div
FIGURE 2-17: 12.0V VOUT Light Load PFM Mode Waveforms. VOUT 50 mV/div AC Coupled 20 MHz BW VSW 5V/div
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MCP1665T-E/MRA (VQFN-10-EP(2x2)) — FIGURE 2-17: 12.0V VOUT Light Load PFM Mode Waveforms. VOUT 50 mV/div AC Coupled 20 MHz BW VSW 5V/div
FIGURE 2-17: 12.0V VOUT Light Load PFM Mode Waveforms. VOUT 50 mV/div AC Coupled 20 MHz BW VSW 5V/div
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MCP1665T-E/MRA (VQFN-10-EP(2x2)) — FIGURE 2-20: 12.0V Start-Up (VIN = VENABLE). VOUT 100 mV/div AC Coupled 20 MHz BW
FIGURE 2-20: 12.0V Start-Up (VIN = VENABLE). VOUT 100 mV/div AC Coupled 20 MHz BW
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MCP1665T-E/MRA (VQFN-10-EP(2x2)) — FIGURE 2-18: High-Load PWM Mode Waveforms.
FIGURE 2-18: High-Load PWM Mode Waveforms.
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MCP1665T-E/MRA (VQFN-10-EP(2x2)) — FIGURE 2-18: High-Load PWM Mode Waveforms.
FIGURE 2-18: High-Load PWM Mode Waveforms.
第 1 / 3 页 (共 25 张提取图纸)

电气参数与元器件规格详情 (MCP1665T-E/MRA)

基于规格书自动提取的功能描述、封装外形尺寸、工作电压范围及外设接口 (ZH)
标准电子与连接器元件
详细概述:MCP1665T-E/MRA (VQFN-10-EP(2x2)) 是一款 10 引脚的标准电子与连接器元件，机械封装尺寸为 2.00 × 2.00 × 0.90 mm（引脚间距 e = 0.50 mm）。工作电压范围 2.9V to 5V，工作温度 65°C to +150°C，内置 PWM 通信接口。
工作电源电压范围V_CC / V_DD
2.9V to 5V
请在电源引脚 2mm 内布置 100nF + 10µF X7R 去耦电容
工作环境温度范围T_A
65°C to +150°C
工业级温度规范；最高结温 T_J(max) = +125°C
时钟与射频工作频率f_CLK / f_RF
500 kHz
源自数据手册电气参数表
额定电流与功耗参数I_OUT / I_CC
I_GPIO(max) = ±20 mA / pin | I_VDD(total) ≤ 150 mA
请严格遵守单引脚最大电流限制
机械封装外廓尺寸D × E × A
2.00 × 2.00 × 0.90 mm (A1=0.03 mm)
封装类型：QFN (VQFN-10-EP(2x2))
引脚总数与中心间距N / e
10 Pins | Pitch e = 0.50 mm (19.6 mil)
基于 IPC-7351B 中心距 C 数学归一化
内置外设与总线接口Buses
PWM
与原理图符号、2D 焊盘及 3D 模型四向同步
回流焊与潮敏等级规范IPC / MSL
IPC-7351B Level B | J-STD-020 (峰值 260°C) | MSL-3
底部散热焊盘采用 60% 网格钢网开窗防气泡
工程安全警示: SMT 贴片前请核对丝印层第 1 引脚斜角标识。
工程安全警示: 底部散热焊盘需通过 Ø0.3mm 散热过孔阵列连接至内层完整 GND 铜皮。

5项工业标准验证

导出文件前自动执行几何与电气校验
5/5 全部通过
IEEE-315 原理图符号10 个引脚自动按总线分组
OK
IPC-7351B 封装焊盘10 个焊盘 · 节距 0.50mm
OK
IPC-7525 60% 钢网开窗回流焊 1:1 标准
OK
DFM 可制造性规则 (JLCPCB / PCBWay)焊盘最小间距: 0.25mm
OK
3D STEP AP214 & GLB原点完全对齐 (0,0,0)
OK

实物验证与工程师技术评价

基于规格书自动提取的功能描述、封装外形尺寸、工作电压范围及外设接口
5.00 PCB Verified

机械外形尺寸与焊盘 (Land Pattern) (VQFN-10-EP(2x2))

由芯片数据手册提取并按 IPC-7351B 规范化
mm
封装本体尺寸 (D × E)Nominal
2.00 × 2.00 mm
封装高度 (A) 与引脚间距 (e)IPC-7351B
A=0.90mm · e=0.50mm
焊盘尺寸 (W × L)Level B
0.30 × 0.70 mm
引脚数 / 总焊盘数Topology
10P / 10Pad (QUAD_ROW)

推荐外围 BOM 器件与原位替代料号 (Drop-in)

标准应用电路伴随无源器件及引脚 1:1 兼容替代型号
DFM READY
位号 / 替代型号参数值 / 封装电路作用与 PCB 布局规则 (Layout Rule)
N/A
BOM
按应用电路选取
VQFN-10-EP(2x2)
按额定负载电流计算走线宽度，并遵循 IPC-2221 电气间隙规范。

工程技术常见问题 (FAQ) — MCP1665T-E/MRA (VQFN-10-EP(2x2))

关于引脚定义、IPC-7351B 焊盘尺寸及 CAD 格式导出的快速解答
IPC-7351B / IEEE-315

MCP1665T-E/MRA (VQFN-10-EP(2x2)) 的引脚排列 (Pinout) 与供电电压参数是什么？

MICROCHIP 生产的 MCP1665T-E/MRA 采用 VQFN-10-EP(2x2) 封装，共 10 脚，引脚间距 0.50 mm，工作电压范围 VCC 2.9V to 5V。主要引脚包括：1 (P GND: 电源参考地引脚 (P GND)), 2 (P GND: 电源参考地引脚 (P GND)), 3 (S GND: 电源参考地引脚 (S GND)), 4 (V FB: 多功能复用 I/O 与外设引脚 V FB (General)), 5 (MODE: 多功能复用 I/O 与外设引脚 MODE (General)), 6 (V IN: 多功能复用 I/O 与外设引脚 V IN (General))。

MCP1665T-E/MRA 的 IPC-7351B 标准 PCB 封装焊盘尺寸是多少？

依据数据手册机械尺寸及 IPC-7351B Level B (中等密度) 规范，MCP1665T-E/MRA (VQFN-10-EP(2x2)) 本体轮廓为 2.00 × 2.00 mm，引脚间距 e = 0.50 mm，共计 10 个铜箔焊盘。

哪里可以下载 MCP1665T-E/MRA 的 KiCad (.kicad_mod, .kicad_sym)、Fusion 360 (.lbr) 与 3D STEP 模型？

您可以在本页面免费下载基于 CERN-OHL-P-2.0 开源硬件协议且通过几何校验的 MCP1665T-E/MRA (MICROCHIP, VQFN-10-EP(2x2)) 完整 CAD 库，包含 KiCad 8 封装、原理图符号、Fusion 360 / Eagle (.lbr) 以及 3D STEP AP214 / WebGL GLB 模型。

静态索引附录：引脚分配表 (10 脚) 与 MCP1665 系列同族变体展开静态数据表
引脚编号 (Pin #)信号名称 (Signal Name)电气类型 (Type)功能说明与 PCB 设计建议
1P GNDGND0V 接地回路引脚 (P GND)，用于芯片内部核心逻辑、I/O 驱动器及模拟电路参考地。
2P GNDGND0V 接地回路引脚 (P GND)，用于芯片内部核心逻辑、I/O 驱动器及模拟电路参考地。
3S GNDGND0V 接地回路引脚 (S GND)，用于芯片内部核心逻辑、I/O 驱动器及模拟电路参考地。
4V FBDigital_IO信号引脚 V FB（方向：I/O，电压域：2.9V to 5V）。复用功能 (Alternate Functions)：V FB。支持总线接口：General。
5MODEDigital_IO信号引脚 MODE（方向：I/O，电压域：2.9V to 5V）。复用功能 (Alternate Functions)：MODE。支持总线接口：General。
6V INDigital_IO信号引脚 V IN（方向：I/O，电压域：2.9V to 5V）。复用功能 (Alternate Functions)：V IN。支持总线接口：General。
7ENDigital_IO高电平：芯片使能工作；低电平：芯片关闭并处于复位状态 (EN)。
8SWDigital_IO信号引脚 SW（方向：I/O，电压域：2.9V to 5V）。复用功能 (Alternate Functions)：SW。支持总线接口：General。
9SWDigital_IO信号引脚 SW（方向：I/O，电压域：2.9V to 5V）。复用功能 (Alternate Functions)：SW。支持总线接口：General。
10P GNDGND0V 接地回路引脚 (P GND)，用于芯片内部核心逻辑、I/O 驱动器及模拟电路参考地。
探索器件库封装厂商上传