MCP6H02T-E/MNY (TDFN-8-EP(2x3)) — Symbol, Footprint IPC-7351B & 3D STEP Model

MCP6H02T-E/MNY

MICROCHIPTDFN-8-EP(2x3) · 9 Pins · Pitch 0.50mmIPC-7351B Verified5.0 (0)
SYNCHRONISIERTER 4D-CROSS-PROBE-MODUSKlicken oder berühren Sie einen Pin, um ihn zeitgleich in Symbol, Footprint und 3D hervorzuheben
1. SCHALTPLANSYMBOL
U1 · MCP6H02T-E/MNY (TDFN-8-EP(2x3))1V V OUT, OUT2V V IN–, INA3V IN+ V INA+4VSS5V INB+9EP8VDD7V OUTB6V INB–Grid Pitch = 2.54mm (IEEE-315)-17.8-12.7-7.6-2.52.57.612.717.812.77.62.5-2.5-7.6-12.7mm
2. 2D-FOOTPRINT
987654321E=2.00mm · Pitch e=0.50mmD=3.00mm-3-2-1012343210-1-2-3-4mm
3. 3D-MODELL
Gehäusekörper: 2.00mm × 3.00mm · Raster: 0.50mm · Linealschritt: 1.00mmSynchronisiert <100ms

Synchronisierte Pinbelegung (Symbol / 2D / 3D) (9/9)

Klicken oder berühren Sie einen Pin, um ihn zeitgleich in Symbol, Footprint und 3D hervorzuheben
PinSymbolTypFunktionsbeschreibung (DE)
1V V OUT, OUTAI/OMultiplex-I/O- & Peripherie-Pin V V OUT, OUTA (General)
2V V IN–, INA–I/OMultiplex-I/O- & Peripherie-Pin V V IN–, INA– (General)
3V IN+ V INA+ ,I/OMultiplex-I/O- & Peripherie-Pin V IN+ V INA+ , (General)
4VSSGNDMasseanschluss (VSS)
5V INB+I/OMultiplex-I/O- & Peripherie-Pin V INB+ (General)
6V INB–I/OMultiplex-I/O- & Peripherie-Pin V INB– (General)
7V OUTBI/OMultiplex-I/O- & Peripherie-Pin V OUTB (General)
8VDDPowerVersorgungsspannungseingang (VDD — 3.5V to 16V)
9EPGNDFreiliegendes Thermal- & Masse-Pad (EP)
PIN 1 V V OUT, OUTA
I/O
Multiplex-I/O- & Peripherie-Pin V V OUT, OUTA (General)
Designhinweis: AnalogOutput(opampA)
IPC-7351B Lötdichte & Spannweite C/G/Z Konfigurator

Zeichnungsgalerie (6 Standardzeichnungen + 10 Extrahierte Abbildungen)

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1. Reales 3D-GehäusemodellREPRESENTATIVE
MCP6H02T-E/MNY (TDFN-8-EP(2x3)) - 1. Reales 3D-Gehäusemodell
Detaillierter 3D-VolumenkörperVergrößern ›
2. Standard-Pinbelegung (Draufsicht)CLEANROOM PINOUT
MCP6H02T-E/MNY (TDFN-8-EP(2x3)) - 2. Standard-Pinbelegung (Draufsicht)
Konforme Pinanordnung (9 Pins)Vergrößern ›
3. Original-Datenblatt-PinoutPDF PINOUT
MCP6H02T-E/MNY (TDFN-8-EP(2x3)) - 3. Original-Datenblatt-Pinout
Unbeschnittenes DatenblattdiagrammVergrößern ›
4. Gehäuseabmessungen (D×E×A)PACKAGE DIMENSIONS
MCP6H02T-E/MNY (TDFN-8-EP(2x3)) - 4. Gehäuseabmessungen (D×E×A)
TDFN-8-EP(2x3) · 2.00×3.00mm · Raster 0.50mmVergrößern ›
5. Empfohlener PCB-FootprintLAND PATTERN
MCP6H02T-E/MNY (TDFN-8-EP(2x3)) - 5. Empfohlener PCB-Footprint
IPC-7351B Land Pattern (9 Pads)Vergrößern ›
6. Typische ApplikationsschaltungSCHEMATIC
MCP6H02T-E/MNY (TDFN-8-EP(2x3)) - 6. Typische Applikationsschaltung
Typical Application SchematicVergrößern ›
Originale Datenblatt-Pinouts & Technische Zeichnungen (10 Abb. · Seite 1/1)
Zeige 1–10 von 10 unbeschnittenen Originalzeichnungen für MCP6H02T
P1 · p01_fig01377×200px
MCP6H02T-E/MNY (TDFN-8-EP(2x3)) — 1.2 MHz, 16V Op Amps
1.2 MHz, 16V Op Amps
P1 · p01_fig021777×1689px
MCP6H02T-E/MNY (TDFN-8-EP(2x3)) —  2010-2011 Microchip Technology Inc. DS22243D-page 1 | Applications: | • Automotive Power Electronics • Industrial Control Equipment • Battery Powered Systems • Medical Diagnostic Instruments | Design Aids: | • SPICE Macro Models • FilterL
 2010-2011 Microchip Technology Inc. DS22243D-page 1 | Applications: | • Automotive Power Electronics • Industrial Control Equipment • Battery Powered Systems • Medical Diagnostic Instruments | Design Aids: | • SPICE Macro Models • FilterL
P1 · p01_fig02P1
MCP6H02T-E/MNY (TDFN-8-EP(2x3)) — Datasheet Page 1 (p01_fig02)
Datasheet Page 1 (p01_fig02)
P17 · p17_fig011777×695px
MCP6H02T-E/MNY (TDFN-8-EP(2x3)) — FIGURE 4-2: Protecting the Analog Inputs.
FIGURE 4-2: Protecting the Analog Inputs.
P17 · p17_fig021777×812px
MCP6H02T-E/MNY (TDFN-8-EP(2x3)) — FIGURE 4-3: Protecting the Analog Inputs. 4.1.4 NORMAL OPERATION
FIGURE 4-3: Protecting the Analog Inputs. 4.1.4 NORMAL OPERATION
P19 · p19_fig011777×1005px
MCP6H02T-E/MNY (TDFN-8-EP(2x3)) — FIGURE 4-8: High Side Current Sensing Using Difference Amplifier.
FIGURE 4-8: High Side Current Sensing Using Difference Amplifier.
P31 · p31_fig011778×2430px
MCP6H02T-E/MNY (TDFN-8-EP(2x3)) —  2010-2011 Microchip Technology Inc. DS22243D-page 31
 2010-2011 Microchip Technology Inc. DS22243D-page 31
P31 · p31_fig01P31
MCP6H02T-E/MNY (TDFN-8-EP(2x3)) — Datasheet Page 31 (p31_fig01)
Datasheet Page 31 (p31_fig01)
P23 · p23_fig01Alle Gehäuse im PDF
MCP6H02T-E/MNY (TDFN-8-EP(2x3)) —  2010-2011 Microchip Technology Inc. DS22243D-page 23 | MCP6H01/2/4 | 6.0 PACKAGING INFORMATION | 6.1 Package Marking Information | 5-Lead SC-70 (MCP6H01) Example | 8-Lead SOIC (150 mil) (MCP6H01, MCP6H02) Example: | XXXXXXXX XXXXYYWW | NN
 2010-2011 Microchip Technology Inc. DS22243D-page 23 | MCP6H01/2/4 | 6.0 PACKAGING INFORMATION | 6.1 Package Marking Information | 5-Lead SC-70 (MCP6H01) Example | 8-Lead SOIC (150 mil) (MCP6H01, MCP6H02) Example: | XXXXXXXX XXXXYYWW | NN
P37 · p37_fig01Alle Gehäuse im PDF
MCP6H02T-E/MNY (TDFN-8-EP(2x3)) — 14-Lead Plastic Small Outline (SL) - Narrow, 3.90 mm Body [SOIC] - Note: For the most current package drawings, please see the Microchip Packaging Specification located at - http:/www.microchip.com/packaging |  2010-2011 Microchip Technolo
14-Lead Plastic Small Outline (SL) - Narrow, 3.90 mm Body [SOIC] - Note: For the most current package drawings, please see the Microchip Packaging Specification located at - http:/www.microchip.com/packaging |  2010-2011 Microchip Technolo

Elektrische Spezifikationen & Bauteildetails (MCP6H02T-E/MNY)

Automatisch aus dem Datenblatt extrahierte Funktionsbeschreibung, Abmessungen, Betriebsspannungsbereich und Schnittstellen (DE)
Standard-Elektronik- & Steckverbinderbauteil
Detaillierte Übersicht:MCP6H02T-E/MNY (TDFN-8-EP(2x3)) ist ein 8-poliges Standard-Elektronik- & Steckverbinderbauteil mit den Gehäuseabmessungen 3.00 × 2.00 × 0.80 mm (Pin-Raster e = 0.50 mm). Ausgelegt für 3.5V to 16V Versorgungsspannung, -40°C to +125°C Temperaturbereich und Standard I/O / Passive Schnittstellen.
BetriebsversorgungsspannungV_CC / V_DD
3.5V to 16V
100nF + 10µF X7R Stützkondensatoren < 2mm am Versorgungspin platzieren
UmgebungstemperaturbereichT_A
-40°C to +125°C
Industrieller Temperaturbereich; T_J(max) = +125°C
Takt- & Funkfrequenzf_CLK / f_RF
1.2 MHz
Aus offiziellen PDF-Datenblatttabellen extrahiert
Strom- & LeistungsdatenI_OUT / I_CC
135 µA
Maximal zulässigen Pin-Strom beachten
Gehäuseabmessungen (D × E × A)D × E × A
3.00 × 2.00 × 0.80 mm (A1=0.03 mm)
Gehäusefamilie: DFN (TDFN-8-EP(2x3))
Pinanzahl & RastermaßN / e
8 Pins | Pitch e = 0.50 mm (19.7 mil)
Nach IPC-7351B Mittenabstand C normalisiert
Integrierte BusschnittstellenBuses
Standard I/O / Passive
4-Wege-Synchronisation (Symbol ↔ Pinout ↔ 2D ↔ 3D)
Lötprofil & FeuchteempfindlichkeitIPC / MSL
IPC-7351B Level B | J-STD-020 (Peak 260°C) | MSL-3
60% Pastenmasken-Segmentierung auf dem Thermal-Pad
Technischer Sicherheitshinweis: Vor der SMT-Bestückung die Pin-1-Markierung auf dem Bestückungsdruck prüfen.
Technischer Sicherheitshinweis: Thermal-Pad über Ø0.3mm Thermodurchkontaktierungen niederimpedant an die GND-Lage anbinden.

5-Punkte-Industriestandardprüfung

Automatische Geometrie- und Regelprüfung vor dem Dateiexport
5/5 BESTANDEN
IEEE-315 Symbol9 Pins automatisch nach Bussen gruppiert
OK
IPC-7351B Footprint9 Pads · Raster 0.50mm
OK
IPC-7525 60% LotpastenfensterEPAD 1.50×1.50mm Gitterteilung
OK
DFM-Fertigungsregeln (JLCPCB / PCBWay)Min. Pad-Abstand: 0.25mm
OK
3D STEP AP214 & GLBKoordinatenursprung deckungsgleich (0,0,0)
OK

Praxisverifikation & Ingenieurbewertungen

Automatisch aus dem Datenblatt extrahierte Funktionsbeschreibung, Abmessungen, Betriebsspannungsbereich und Schnittstellen
5.00 PCB Verified

Mechanische Abmessungen & Land Pattern (TDFN-8-EP(2x3))

Aus dem Datenblatt extrahiert & nach IPC-7351B normiert
mm
Gehäusekörper (D × E)Nominal
3.00 × 2.00 mm
Höhe (A) & Raster (e)IPC-7351B
A=0.80mm · e=0.50mm
Pad-Abmessungen (W × L)Level B
0.30 × 0.75 mm
Pins / Gesamt-PadsTopology
9P / 9Pad (DUAL_ROW)

Empfohlene Peripherie-BOM & Pin-kompatible Ersatztypen (Drop-in)

Passive Begleitbauteile gemäß Referenzschaltung sowie 1:1 pin-kompatible Alternativen
DFM READY
Bauteilbezeichner / Ersatz-MPNWert / GehäuseFunktion & PCB-Layout-Regel
N/A
BOM
Per application circuit
TDFN-8-EP(2x3)
Leiterbahnbreiten für Nennstrom dimensionieren und IPC-2221 Isolationsabstände einhalten.

Häufig gestellte technische Fragen (FAQ) — MCP6H02T-E/MNY (TDFN-8-EP(2x3))

Schnellantworten zu Pinbelegung, IPC-7351B Land-Pattern-Abmessungen und CAD-Exportformaten
IPC-7351B / IEEE-315

Wie lautet die Pinbelegung (Pinout) und Versorgungsspannung des MCP6H02T-E/MNY (TDFN-8-EP(2x3))?

Das Bauteil MCP6H02T-E/MNY von MICROCHIP im TDFN-8-EP(2x3)-Gehäuse besitzt 9 Pins mit einem Rastermaß (Pitch) von 0.50 mm und einem Betriebsspannungsbereich VCC von 3.5V to 16V. Wichtige Pins: 1 (V V OUT, OUTA: Multiplex-I/O- & Peripherie-Pin V V OUT, OUTA (General)), 2 (V V IN–, INA–: Multiplex-I/O- & Peripherie-Pin V V IN–, INA– (General)), 3 (V IN+ V INA+ ,: Multiplex-I/O- & Peripherie-Pin V IN+ V INA+ , (General)), 4 (VSS: Masseanschluss (VSS)), 5 (V INB+: Multiplex-I/O- & Peripherie-Pin V INB+ (General)), 6 (V INB–: Multiplex-I/O- & Peripherie-Pin V INB– (General)).

Welche IPC-7351B Land-Pattern-Abmessungen hat der MCP6H02T-E/MNY?

Gemäß Datenblatt und IPC-7351B (Density Level B Nominal) betragen die Gehäusemaße des MCP6H02T-E/MNY (TDFN-8-EP(2x3)) 2.00 × 3.00 mm bei einem Pitch e = 0.50 mm und 9 Kupfer-Pads sowie einem zentralen Thermal Pad (EPAD) von 1.50 × 1.50 mm mit 60% Pastenfenster nach IPC-7525.

Wo können KiCad (.kicad_mod, .kicad_sym), Fusion 360 (.lbr) und 3D-STEP-Modelle für MCP6H02T-E/MNY heruntergeladen werden?

Auf dieser Seite können Sie das vollständig verifizierte CAD-Bibliothekspaket für MCP6H02T-E/MNY (MICROCHIP, TDFN-8-EP(2x3)) unter der Open-Hardware-Lizenz CERN-OHL-P-2.0 kostenlos herunterladen: KiCad 8 Footprint (.kicad_mod), Schaltplansymbol (.kicad_sym), Fusion 360 / Eagle (.lbr) und 3D STEP AP214 / WebGL GLB.

Statischer Referenzanhang: Pinbelegungstabelle (9 Pins) & MCP6H02T VariantenStatische Tabelle aufklappen
Pin-Nr.SignalnameElektrischer TypFunktionsbeschreibung & Schaltungshinweise
1V V OUT, OUTADigital_IOSignalanschluss V V OUT, OUTA (Richtung: I/O, Spannungsbereich: 3.5V to 16V). Alternative Multiplex-Funktionen: V V OUT, OUTA. Unterstützte Bus-Schnittstellen: General.
2V V IN–, INA–Digital_IOSignalanschluss V V IN–, INA– (Richtung: I/O, Spannungsbereich: 3.5V to 16V). Alternative Multiplex-Funktionen: V V IN–, INA–. Unterstützte Bus-Schnittstellen: General.
3V IN+ V INA+ ,Digital_IOSignalanschluss V IN+ V INA+ , (Richtung: I/O, Spannungsbereich: 3.5V to 16V). Alternative Multiplex-Funktionen: V IN+ V INA+ ,. Unterstützte Bus-Schnittstellen: General.
4VSSGNDElektrischer 0V-Masserückführungsanschluss (VSS) für Kernlogik, I/O-Treiber und Analogblöcke.
5V INB+Digital_IOSignalanschluss V INB+ (Richtung: I/O, Spannungsbereich: 3.5V to 16V). Alternative Multiplex-Funktionen: V INB+. Unterstützte Bus-Schnittstellen: General.
6V INB–Digital_IOSignalanschluss V INB– (Richtung: I/O, Spannungsbereich: 3.5V to 16V). Alternative Multiplex-Funktionen: V INB–. Unterstützte Bus-Schnittstellen: General.
7V OUTBDigital_IOSignalanschluss V OUTB (Richtung: I/O, Spannungsbereich: 3.5V to 16V). Alternative Multiplex-Funktionen: V OUTB. Unterstützte Bus-Schnittstellen: General.
8VDDPower_InPositiver Versorgungseingang (VDD) im Spannungsbereich 3.5V to 16V (Max. 16.0V).
9EPGNDFreiliegendes Boden-Wärmeleitpad (EP) zur primären Wärmeableitung in die Leiterplatte sowie als niederinduktiver 0V-Masserückleiter.